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基本信息
基本信息
| 型号编号 | 原始的 |
| 类型 | 晶体管 |
| 品牌名称 | 原始的 |
| 包装类型 | 贯穿孔 |
| 装设类型 | 标准 |
| 描述 | 晶体管 |
| 原产地 | 中国 广东 |
| 包装/外壳 | 标准 |
| 系列 | 标准 |
| D/C | 新 |
| 应用程序 | 晶体管 |
| 供应商类型 | 原始制造商 |
| 交叉引用 | 标准 |
| 媒体 | datasheet |
| 品牌 | 晶体管 |
| 电流-收集器（Ic）（最大值） | 标准的 |
| 电压-集电极发射极击穿（最大值） | 标准 |
| 在Ib，Ic下Vce的饱和（最大值） | 标准 |
| 当前-集电极截止（最大值） | 标准 |
| DC电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic、Vce | 标准 |
| 最大功率 | 标准的 |
| 频率-过渡 | 标准的 |
| 工作温度 | 标准 |
| 安装类型 | 贯通孔 |
| 电阻基底（R1） | 标准 |
| 电阻-发射极-基极（R2） | 标准 |
| 均衡滤波器类型 | 标准 |
| FET特性 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 标准 |
| 25°C时的持续电流耗尽（Id） | 标准的 |
| Rds开启（最大）@Id，Vgs | 标准的 |
| Vgs | 标准 |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 标准的 |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 标准 |
| 频率 | 标准 |
| 额定电流（安培） | 标准的 |
| 噪声系数 | 标准 |
| 功率输出 | 标准的 |
| 电压额定值 | 标准 |
| 驱动电压（最大正向漏电流RDSon、最小正向漏电流RDSon） | 标准的 |
| 最大Vgs | 标准 |
| IGBT 类型 | 标准 |
| 配置 | 标准 |
| Vce(on) (最大值) @ Vge，Ic | 标准 |
| Vce下的输入电容（Cies） | 标准 |
| 输入 | 标准的 |
| NTC热敏电阻 | 标准 |
| 电压击穿（V（BR）GSS） | 标准 |
| 在 Vds（Vgs=0）下的电流-漏极损耗（Idss） | 标准 |
| 电流损耗（Id）- 最大值 | 标准的 |
| 电压-截止（VGS截止）@Id | 标准 |
| 电阻-RDS(开) | 标准 |
| 电压 | 标准的 |
| 电压-输出 | 标准 |
| 电压偏移（Vt） | 标准 |
| 当前-栅极至阳极泄漏（Igao） | 标准的 |
| 当前-山谷（四） | 标准 |
| 当前 - 峰值 | 标准 |
| 应用程序 | 标准 |
| 直流电（Direct Current） | 新 |
AP130N20MP TO-247 N沟道增强型MOSFET晶体管
￥10.89
消费电子产业链 · 分立半导体 · 晶体管
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