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基本信息产品详情
基本信息
| 型号编号 | AOD4160 |
| 类型 | 标准 |
| 品牌名称 | 白锌 |
| 包装类型 | 标准 标准 |
| 安装类型 | 标准 标准 |
| 描述 | 芯片 |
| 原产地 | 中国 |
| 包装/外壳 | 标准 |
| 类型 | 标准 |
| 操作温度 | 标准 |
| 系列 | 其他 |
| 停船下船/加油待机 | 标准 |
| 应用程序 | 标准 |
| 供应商类型 | 标准 |
| 交叉引用 | 标准 |
| 可用媒体 | 标准 |
| 品牌 | 标准 |
| 电流-收集器（Ic）（最大值） | 标准 |
| 电压-集电极发射极击穿（最大值） | 标准 |
| 在Ib，Ic下的Vce饱和度（最大值） | 标准 |
| 当前-集电极截止（最大值） | 标准 |
| DC电流增益（hFE）（最小值）@Ic，Vce | 标准 |
| 动力超强 | 其他 |
| 频率-转换 | 标准 |
| 工作温度 | 标准 |
| 安装类型 | 标准 标准 |
| 电阻基极（R1） | 标准 |
| 电阻-发射极-基极（R2） | 标准 |
| 均衡滤波器类型 | 标准 |
| FET特性 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 标准 |
| 在25°C时的连续电流-连续耗散（Id） | 标准 |
| Rds开启（最大）@Id，Vgs | 标准 |
| Vgs | 标准 |
| 门极电荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 标准 |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 标准 |
| 频率 | 标准 |
| 额定电流（安培） | 标准 |
| 噪声系数 | 标准 |
| 功率 - 输出 | 标准 |
| 电压额定值 | 标准 |
| 最大导通漏极电压和最小导通漏极电压 | 标准 |
| Vgs (最大值) | 标准 |
| IGBT类型 | 标准 |
| 配置 | 标准 |
| Vce(on) (最大值) @ Vge，Ic | 标准 |
| 输入电容（Cies）@ Vce | 标准 |
| 输入 | 标准 |
| NTC热敏电阻 | 标准 |
| 电压击穿（V（BR）GSS） | 标准 |
| 电流-漏极损耗（Idss）在Vds（Vgs=0）时 | 标准 |
| 额定最大漏电电流 | 标准 |
| 电压截止（VGS off）@ Id | 标准 |
| 电阻-RDS(开) | 标准 |
| 电压 | 标准 |
| 电压-输出 | 标准 |
| 电压偏移（Vt） | 标准 |
| Ga（通向阳极）的旁路漏电流（Igao） | 标准 |
| 当前 - 山谷（四） | 标准 |
| 当前-峰值 | 标准 |
| 应用程序 | 标准 |
| 晶体管类型 | 标准 |
| 输入 | 标准 |
| 电压-输出 | 标准 |
| 驱动电压（最大RDS通态电压，最小RDS通态电压） | 标准 |
| 原产地 | 中国广东 |
| 应用程序 | 标准 |
| 品牌名称 | 深圳市雷信睿电子有限公司 |
| 电压击穿(V(BR)GSS) | 标准 |
产品详情
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AOD4160场效应晶体管SMD TO-252 AOD4160集成电路芯片
￥0.07
消费电子产业链 · 分立半导体 · 晶体管
品牌标准
广州 
已认证
