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基本信息
基本信息
| 型号编号 | IRF1404Z IRF1404ZSTRLPBF |
| 类型 | MOSFET |
| 品牌名称 | 原义 |
| 包装类型 | 贯穿孔 |
| 安装类型 | 请联系我们 |
| 描述 | 请联系我们 |
| 原产地 | 中国 广东 |
| 包装/箱体 | 请联系我们 |
| 类型 | 请联系我们 |
| 工作温度 | 请联系我们 |
| 系列 | 请联系我们 |
| D/C，即：承兑交单。 | 新 |
| 应用 | 标准 |
| 供应商类型 | 原始制造商，原始设计制造商，代理机构，零售商，其他 |
| 可用媒体 | datasheet：数据表；数据手册Photo：照片 |
| 品牌 | IRF1404Z |
| 电压-集电极发射极击穿（最大值） | 标准 |
| Vce 饱和度（最大值）@Ib，Ic | 标准 |
| DC电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic、Vce | 标准 |
| 工作温度 | 标准 |
| 安装类型 | 标准 |
| 电阻基底（R1） | 标准 |
| 电阻-发射极-基极（R2） | 标准 |
| FET特性 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 标准 |
| 在25°C时的连续电流-连续耗散（Id） | 标准 |
| Rds开启（最大）@Id，Vgs | 标准 |
| Vgs | 标准 |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 标准 |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 标准 |
| 频率 | 标准 |
| 额定电流（安培） | 标准 |
| 噪声系数 | 标准 |
| 功率输出 | 标准 |
| 电压额定值 | 标准 |
| 驱动电压（最大RDS，最小RDS） | 标准 |
| Vgs（最大值） | 标准 |
| IGBT类型 | 标准 |
| 配置 | 标准 |
| Vce(on) (最大值) @ Vge，Ic | 标准 |
| Vce的输入电容（Cies） | 标准 |
| 输入 | 标准 |
| NTC热敏电阻 | 标准 |
| 电压击穿（V（BR）GSS） | 标准 |
| 在 Vds（Vgs=0）下的电流-漏极损耗（Idss） | 标准 |
| 电流泄漏（Id）- 最大值 | 标准 |
| 在Id下，电压-截止（VGS off） | 标准 |
| 电阻-RDS(开路) | 标准 |
| 电压 | 标准 |
| 电压输出 | 标准 |
| 电压偏移（Vt） | 标准 |
| 栅极至阳极泄漏电流（Igao） | 标准 |
| 当前-山谷（四） | 标准 |
| 当前 - 峰值 | 标准 |
| 应用程序 | 标准 |
| 付款 | Paypal、TT、Western Union、贸易保证 |
| 产品名称 | IRF1404Z |
| 交货期 | 一周七天的工作 |
| 包装 | 原始包 |
| 销售单位 | 单个项目 |
| 单个包装尺寸 | 11×11×11 cm |
| 毛重： | 1千克 |
IRF1404Z晶体管全新原装N沟道MOSFET 40V 180A晶体管IRF1404Z IRF1404ZPBF IRF1404ZSTRLPBF
￥0.65
消费电子产业链 · 分立半导体 · 晶体管
品牌IRF1404Z
深圳 
已认证
