一般描述
GreenMOS®高电压MOS利用电荷平衡技术来实现出色的低接通电阻和较低的栅极电荷。 它的设计目的是最大限度地减少导电损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。
GreenMOS® 通用系列针对极端的开关性能进行了优化，以最大限度地减少开关损耗。 它专为高功率密度应用量身定制，以满足最高的效率标准。

特征
.低RDS（ON）和FOM
.极低的开关损耗
.优异的稳定性和均匀性

应用
. PC电源
. LED灯泡
.通信电源
. 服务器电源
. EV充电器
. 太阳能/UPS

关键性能参数

参数值单位
NDS，最小@ Tj（最大）850 V
ID，脉冲15 A
RDS（ON），最大@ VGS= 10 V 900 m？
Qg 11.7 nC

产品名称包装标记
OSG 80 R900 DF TO 252 OSG 80 R900 D

除非另有说明，Tj=25°C时的绝对最大评级

除非另有规定，Tj=25°C时的电气特性

参数符号最小典型值最大单元测试条件
输入电容Ciss 647.4 PF
VGS=0 V，
NDS =50 V，
MIDI =100 GHz
输出电容Coss 36.1 PF
反向转移电容Crss 1.5 PF
开启延迟时间td（on） 31.3 NS
VGS=10 V，
NDS =400 V，
RG=2欧，
ID=4 A
上升时间tr 16.4 NS
关断延迟时间td（off） 54.6 NS
下降时间tf 7.0 NS

参数符号最小典型值最大单元测试条件
总入口费Qg 11.7 NC
VGS=10 V，
NDS =400 V，
ID=4 A
门源电荷Qgs 2.8 NC
门漏电荷Qgd 4.4 NC
门极平台电压V平台 5.8 V

参数符号最小典型值最大单元测试条件
二极管正向电压SD 1.3 Vs =5 A，
VGS=0 V
反向恢复时间trr 216.5 ns VR =400 V，
IS=4 A，
di/dt=100 A/μs
反向恢复电荷Qrr 1.9 μC
峰值反向恢复电流Irrm 17.0 一