一般描述
高压MOS利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和较低的栅电荷。它的设计目的是最大限度地减少导电损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。Generic系列针对极端的开关性能进行了优化，以最大限度地减少开关损耗。它专为高功率密度应用量身定制，以满足最高的效率标准。

特征
低RDS（ON）和FOM
极低的开关损耗
优异的稳定性和均匀性

应用
LED灯泡
通信电源
太阳能/UPS
切断力量
PC电源
EV充电器

参数值单位
NDS，最小@ Tj（最大）850 V
ID，脉冲45 A
RDS（ON），最大@ VGS= 10 V 300 m？
Qg 23.3 nC

产品名称包装标记
OSG 80 R300 JF PDFN 8 x 8 OSG 80 R300 J

除非另有说明，Tj=25°C时的绝对最大评级

除非另有规定，Tj=25°C时的电气特性

参数符号最小典型值最大单元测试条件
输入电容Ciss 1552 PF
VGS=0 V，
NDS =50 V，
MIDI =100 GHz
输出电容Coss 80.1 PF
反向转移电容Crss 2.1 PF
开启延迟时间td（on） 33.6 NS
VGS=10 V，
NDS =400 V，
RG=2欧，
ID=7.5 A
上升时间tr 20.3 NS
关断延迟时间td（off） 57.9 NS
下降时间tf 4.5 NS

参数符号最小典型值最大单元测试条件
总入口费Qg 22.7 NC
VGS=10 V，
NDS =400 V，
ID=7.5 A
门源电荷Qgs 8.6 NC
门漏电荷Qgd 2.3 NC
门极平台电压V平台 5.5 V

参数符号最小典型值最大单元测试条件
二极管正向电压SD 1.3 V IS=15 A，
VGS=0 V
反向恢复时间trr 313.7 ns VR =400 V，
IS=7.5 A，
di/dt=100 A/μs
反向恢复电荷Qrr 4.2 μC
峰值反向恢复电流Irrm 25.2 一